Samsung Siap Produksi Massal Penyimpanan Internal Pertama 512GB eUFS 3.0

Suara.com - Tidak lama setelah pengumuman Samsung Galaxy S10-series baru, pabrikan yang berbasis di Korea Selatan ini terus bergerak maju dengan pengumuman besar lainnya. Disinyalir, Samsung tengah menyiapkan penyimpanan internal 512GB eUFS 3.0 pertama yang memberikan keuntungan kinerja luar biasa dari generasi sebelumnya.

Kabarnya, chip eUFS 3.0 512GB yang baru sudah dalam produksi massal dan mengungguli dua chip eUFS 2.1. Hal ini sempat disinggung Wakil Presiden Eksekutif Penjualan dan Pemasaran Memori di Samsung Electronics. Di mana menurutnya, Samsung menetapkan standar baru menyusul laptop ultra-ramping saat ini dalam hal kinerja penyimpanan.

Memori 512GB eUFS 3.0 peningkatan dari generasi ke-5 512-gigabit V-NAND yang memiliki keunggulan dari pengontrol kinerja tinggi yang baru. Ini dapat mencapai hingga 2.100 MB / s kecepatan baca, yang dua kali lebih cepat dari chip 2.1 eUFS saat ini.

Bahkan, kecepatan baca sekitar empat kali lebih cepat dari SSD konvensional yang berjalan pada antarmuka SATA. Kecepatan tulis harus sekitar 410 MB / s - dalam ballpark yang sama dengan SSD SATA.

IOPS juga mengalami peningkatan - 63.000 IOPS baca acak dan 68.000 IOPS tulis acak. Sebagai perbandingan, itu sekitar 630 kali lebih cepat daripada kartu microSD.

Selain chip 512GB, Samsung sekarang memproduksi chip 128GB juga dan memiliki rencana untuk mulai memproduksi dalam rasa 256GB dan 1TB sekitar paruh kedua tahun ini. [GSMArena]