- Pembocor teknologi Lanzuk menyatakan Samsung mempertimbangkan penggunaan memori LPDDR6 dan UFS 5 pada model Galaxy S27.
- Penerapan teknologi memori baru tersebut berpotensi mendongkrak performa perangkat tetapi dikhawatirkan menaikkan biaya produksi.
- Seri Samsung Galaxy S27 diprediksi meluncur pada awal tahun mengikuti jadwal peluncuran reguler perusahaan.
Suara.com - Samsung Galaxy S27 diperkirakan kembali meluncur pada awal tahun setelah seri Galaxy S26 hadir lebih lambat dari jadwal biasanya.
Namun, spesifikasi penerus flagship Samsung tersebut masih menyisakan tanda tanya, terutama soal teknologi memori yang akan digunakan dan dampaknya terhadap harga jual.
Dilansir dari laman GSM Arena, Selasa (20/10/2026), informasi terbaru yang dibagikan pembocor teknologi bernama Lanzuk melalui platform Naver menyebutkan bahwa Samsung masih mempertimbangkan penggunaan teknologi memori generasi terbaru untuk Galaxy S27 Pro dan Galaxy S27 Ultra.
Sebelumnya, Samsung dikabarkan berencana membedakan spesifikasi memori berdasarkan model.
Galaxy S27 dan Galaxy S27+ disebut akan tetap menggunakan LPDDR5X dan UFS 4.x, sedangkan Galaxy S27 Pro dan Galaxy S27 Ultra diproyeksikan mendapatkan LPDDR6 dan UFS 5.
Namun, perkembangan pasar memori yang lebih cepat dari perkiraan diduga membuat Samsung kembali mengevaluasi rencana tersebut.
Perusahaan disebut mempertimbangkan apakah peningkatan teknologi memori itu akan tetap diterapkan atau ditunda, termasuk untuk model Pro dan Ultra.
Hingga kini, Samsung belum mengumumkan spesifikasi resmi Galaxy S27. Seluruh informasi tersebut masih berupa bocoran.
LPDDR6 dan UFS 5 Bisa Dongkrak Performa Galaxy S27
Jika rencana peningkatan memori tersebut terwujud, Galaxy S27 Pro dan Galaxy S27 Ultra berpotensi mendapatkan peningkatan performa dibandingkan generasi sebelumnya.
UFS 5 merupakan standar penyimpanan generasi baru yang dirancang menawarkan kecepatan transfer data lebih tinggi dibandingkan UFS 4.1.
Spesifikasi yang disebutkan dalam laporan mencapai kecepatan baca hingga 10,8 GB per detik dan kecepatan tulis hingga 9,8 GB per detik.
Teknologi tersebut juga diklaim dapat mengurangi konsumsi daya hingga 40 persen dibandingkan UFS 4.1.
Jika diterapkan pada ponsel, peningkatan kecepatan penyimpanan berpotensi membantu mempercepat pemindahan data dan proses pemuatan aplikasi, meskipun hasil akhirnya juga bergantung pada komponen serta optimasi perangkat.
Sementara itu, LPDDR6 diperkirakan menawarkan kecepatan transfer data 10,6–14,4 Gbps per pin. Angka tersebut lebih tinggi dibandingkan LPDDR5X yang mencapai 8,5 Gbps per pin.