Samsung: Penggunaan DDR6 Akan Lebih Luas pada 2027

Suara.com - Menurut computerbase, Samsung memperkenalkan roadmap memori di acara Samsung Foundry Forum 2022.

Samsung akan memasuki tahap proses 1bnm pada 2023 mendatang.

Selanjutnya, kapasitas chip memori akan mencapai 24Gb (3GB) – 32Gb (4GB).

Dilansir laman Gizchina, Senin (10/10/2022), selain itu, kecepatan asli akan menjadi 6,4-7.2Gbps.

Dalam hal memori video, generasi baru memori video GDDR7 akan keluar tahun depan.

Dengan demikian, facelift jangka menengah dari kartu grafis AMD dan Nvidia generasi baru dapat menggunakan memori video GDDR7.

Samsung menunjukkan pada acara Tech Day 2022 sebelumnya bahwa V-NAND generasi kesembilan sedang dalam pengembangan.

Menurut jadwal perusahaan, chip ini akan memasuki produksi massal pada 2024.

Pada 2030, perusahaan menumpuk lebih dari 1.000 lapisan NAND untuk mendukung teknologi intensif data di masa depan dengan lebih baik.

Juga diumumkan bahwa kapasitas 1Tb TLC V-NAND tertinggi di dunia akan tersedia bagi pelanggan pada akhir tahun ini.

Pada acara Samsung Tech Day 2022, Presiden Samsung Electronics dan kepala bisnis memori, Jung-bae Lee mengatakan bahwa perusahaan telah menghasilkan total 1 triliun GB memori dalam lebih dari 40 tahun.

Bagian yang menarik adalah bahwa sekitar setengah dari 1 triliun GB diproduksi dalam tiga tahun terakhir.

Samsung mengklaim, telah menjadi pemimpin dalam DRAM dan NAND masing-masing selama 30 dan 20 tahun.

Saat ini, Samsung sedang mengembangkan DRAM kelas 10nm (1b) generasi kelima. Ia juga mengembangkan NAND vertikal (V-NAND) generasi kedelapan dan kesembilan.

Perusahaan berjanji untuk terus memberikan kombinasi teknologi memori yang paling kuat untuk dekade berikutnya.